2SC3646S-P-TD-E
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | 2SC3646S-P-TD-E |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 100V 1A |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PCP |
Serie | - |
Leistung - max | 500 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 100mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
Grundproduktnummer | 2SC3646 |
2SC3646S-P-TD-E Einzelheiten PDF [English] | 2SC3646S-P-TD-E PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2SC3646S-P-TD-Eonsemi |
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Zielpreis (USD)
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